ロシア軍規格 ゲルマニウム パワートランジスタ 2個セット 4種類

こちらでは4種類ご紹介させていただいております。

1T806A 1T806V GT806B GT806G
お選びいただきご購入ください。
一種類2個セットになります。

オーディオ、無線、通信機 自作補修等に
大変評価の高いゲルマ型パワートランジスタです。

専用の取り付け金具に錆や種類が違う物がありますが
なるべく形を合わせてご提供致します。

806属で性能は同じで電圧が違う物が存在しており
個別にご紹介しております、併せてご覧いただきご検討ください。
Vce と Icmax値が少し違うだけです。
ロシアでは806系同じ物として売ってたりします。
サフィックスの違いは電圧の違いで現地では同じ物として
使っている方が多いそうです。

知る人ぞのロシア軍規格 PNP ゲルマパワートランジスタで
噂では2SB262 282 424の代わりになるようですが自己責任です。


----お願い-----
袋に入れて発送致します。
アルミホイル等には包みません。
30年近く箱に入った物を手で触りアルミホイルに巻くリスクが
有りますのでご理解ください。
当時のタフなゲルマトランジスタです。
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2個セットといたします。
スペックをご覧いただきご検討ください。
質問いただいてもこれ以上の事はわかりません。

Type Designator: 1T806A
Material of Transistor: Ge
Polarity: PNP
Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 30 W
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 75 V
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 1 V
Maximum Collector Current |Ic max|: 20 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj): 85 °C
Transition Frequency (ft): 10 MHz
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 10

Type Designator: 1T806V
Material of Transistor: Ge
Polarity: PNP
Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 30 W
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 120V
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 1 V
Maximum Collector Current |Ic max|: 20 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj): 85 °C
Transition Frequency (ft): 10 MHz
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 10

Type Designator: GT806B
Material of Transistor: Ge
Polarity: PNP
Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 30 W
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 100 V
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 1 V
Maximum Collector Current |Ic max|: 15 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj): 85 °C
Transition Frequency (ft): 10 MHz
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 10

Type Designator: GT806G
Material of Transistor: Ge
Polarity: PNP
Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 30 W
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 50 V
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 1 V
Maximum Collector Current |Ic max|: 15 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj): 85 °C
Transition Frequency (ft): 10 MHz
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 10

ГT-806B （GT806V）
Material of Transistor: Ge
Polarity: PNP
Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 30 W
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 100 V
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 1 V
Maximum Collector Current |Ic max|: 15 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj): 85 °C
Transition Frequency (ft): 10 MHz
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 10
スキル有る自作派猛者様にお任せ致します。

神経質な方、細かい方、初心者様、難しい方への対応は
出来ないためご購入はご遠慮ください。
返品なども一切対応しておりません十分ご検討いただき
ご購入ください。

球露屋は本品を使用することによって起こりうる被害に関して一切保障はいたしません。